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公告内容

公告期間： ～ ( )に付します。

1．競争入札に付する事項RE-12656仕様書のとおり２．入札書等の提出場所等入札説明書等の交付場所及び問い合わせ先(ダイヤルイン)入札説明書等の交付方法上記２．(1)に記載の交付場所または電子メールにより交付する。

ただし、交付は土曜,日曜,祝日及び年末年始(12月29日～1月3日)を除く平日に行う。

電子メールでの交付希望の場合は、「 公告日,契約管理番号,入札件名,当機構担当者名,貴社名,住所,担当者所属,氏名,電話,FAX,E-Mail 」を記載し、上記２．(1)のｱﾄﾞﾚｽに送信。

交付の受付期限は 17:00までとする。

入札説明会の日時及び場所入札及び開札の日時並びに場所令和 5 年 11 月 30 日鈴木 偉久ＦＡＸ 050-3730-8549(2)件 名内 容(5)入 札 公 告 (郵便入札可)(木)茨城県那珂市向山８０１番地１管 理 部 長量子エネルギー部門 那珂研究所国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構(木) 令和 5 年 11 月 9 日小澤 奈々美国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構 那珂研究所ITERジャイロトロン試験用アノード電源高電圧スイッチユニットの製作令和6年3月15日029-277-6513履 行 場 所履 行 期 限一般競争入札13時30分製造請負令和5年 10月 19日(1)下記のとおり〒311-0193E-mail：ＴＥＬ(2)(3)(1)契約管理番号nyuusatsu_naka@qst.go.jp那珂研究所R5.11.9(4)実 施 し な い管理部契約課管理研究棟１階 入札室(114号室) 那珂研究所(4)R5.10.19茨城県那珂市向山８０１番地１(3)記３．競争に参加する者に必要な資格当機構から指名停止措置を受けている期間中の者でないこと。

全省庁統一競争入札参加資格を有する者であること。

当機構が別に指定する誓約書に暴力団等に該当しない旨の誓約をできること。

４．入札保証金及び契約保証金 免除５．入札の無効入札参加に必要な資格のない者のした入札入札の条件に違反した者の入札６．契約書等作成の要否７．落札者の決定方法８．その他その他、詳細については、入札説明書によるため、必ず上記２．(2)により、 入札説明書の交付を受けること。

本入札に関しての質問書は、 15:00までに上記問い合わせ先宛てに提出すること。 なお、質問に対する回答は、 中に当機構ホームページにおいて掲載する。

本件以外にも、当機構ホームページ(調達情報)において、今後の「調達予定情報」を掲載していますのでご確認ください。

(掲載箇所URL：https://www.qst.go.jp/site/procurement/)以上 公告する。

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第10条の規定に該当しない者であること。ただし、未成年者、被保佐人又は被補助人であって、契約締結のために必要な同意を得ている者についてはこの限りでない。

(2) 落札決定に当っては、入札書に記載した金額に当該金額の10パーセントに相当する額を加算した金額(当該金額に1円未満の端数があるときは、その端数を切り捨てた金額とする)をもって落札価格とするので、入札者は、消費税に係る課税事業者であるか免税事業者であるかを問わず、見積もった金額の110分の100に相当する金額を入札書に記載すること。

(2)(1)(2)(3)(4)(1)(4)(2)(3)前項の誓約書を提出せず、又は虚偽の誓約をし、若しくは誓約書に反することとなったときは、当該者の入札を無効とするものとする。

国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 契約事務取扱細則第11条第１項の規定に該当しない者であること。

(5) 本契約締結にあたっては、当機構の定める契約書(契約金額が500万円以上の場合)もしくは請書(契約金額が200万円以上500万円未満の場合)を作成するものとする。

(木) 令和5年11月2日令和5年10月27日 (金)(1)この入札に参加を希望する者は、参考見積書等の提出時に、当機構が別に指定する暴力団等に該当しない旨の誓約書を提出しなければならない。

予定価格の制限の範囲内で、最低価格をもって有効な入札を行った入札者を落札者とする。 (最低価格落札方式)(1)(5)

ITERジャイロトロン試験用アノード電源高電圧スイッチユニットの製作仕様書国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構量子エネルギー部門 那珂研究所ＩＴＥＲプロジェクト部 ＲＦ加熱開発グループ- 1 -第１章 一般仕様１．件名ITERジャイロトロン試験用アノード電源高電圧スイッチユニットの製作２．目的国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構(以下「量研」という。)那珂研究所では、ITER ジャイロトロンの性能確認試験において使用するジャイロトロン電源システムを構築している。本件は、ジャイロトロン電源システムの構築に必要なアノード電源高電圧スイッチユニットを製作するものである。３．契約範囲ITERジャイロトロン試験用アノード電源高電圧スイッチユニットの製作 ：一式４．作業場所及び納入条件４.１ 作業場所茨城県那珂市向山801-1 量研 那珂研究所 JT-60付属実験棟４.２ 納入条件車上渡し５．納期令和6年3月15日６．支給品スイッチングデバイス(型式：IXYS 社製IXBH42N170A)：100個(予備を含む)なお、受注者への引き渡しに要する費用は、受注者負担とする。７．提出書類下表に示す書類を提出すること。書類名 提出時期 部数 電子版 確認１ 確認図 製作開始前 3部 不要 要２ 試験検査要領書 試験検査開始前 3部 不要 要３ 完成図書※１(完成図、試験検査成績書、取扱説明書等を含む)納入時 3部 要 不要- 2 -４ 再委託承諾願※２ 作業開始2週間前 1部 不要 要５ その他量研が要求する書類 都度協議 都度協議 都度協議 都度協議※１：電子ファイルのうち図面類は、DXF または DWG 形式及び PDF 形式の両方を提出すること。また、その他の電子ファイルについては、MS-Office 2013以降の形式またはPDF形式にて提出すること。※２：下請負等がある場合に提出のこと。(量研指定様式)(提出場所)量研 那珂研究所 ＩＴＥＲプロジェクト部 ＲＦ加熱開発グループ(確認方法)「確認」は次の方法で行う。量研は、確認のために提出された書類を受領したときは、期限日を記載した受領印を押印して返却する。また、当該期限までに審査を完了し、必要な場合には修正を指示するものとし、修正等を指示しないときは確認したものとする。ただし、「再委託承諾願」は、量研確認後、書面にて回答するものとする。８．検査条件第２章に示す技術仕様を満たしていること及び第１章７項に示す提出書類が提出されていることを量研が確認したことをもって検査合格とする。９．品質管理製作に係る全ての工程において、十分な品質管理を行うこと。１０．適用法規・規程等本作業を遂行するに当たり、下記の法規・規程等を遵守すること。(１)日本産業規格(JIS)(２)電気設備技術基準(３)電気学会電気規格調査会標準規格(JEC)(４)日本電機工業会標準規格(JEM)(５)日本電気協会電気技術規程(JEAC)(６)日本電線工業会規格(JCS)(７)その他受注業務に関し、適用又は準用すべき全ての適用法令・規格・基準１１．技術情報・成果の取扱い及び機密保持受注者は、業務を実施することにより取得した当該業務及び作業に関する各データ、技術情報、成果その他全ての資料及び情報を発表若しくは公開してはならない。また、本業務遂行以外の目的で第三者に開示や提供してはならない。ただし、あらかじめ書面により量研の承認を受けた場合はこの限りではない。- 3 -１２．グリーン購入法の推進(１)本契約において、グリーン購入法(国等による環境物品等の調達の推進等に関する法律)に適用する環境物品(事務用品、ＯＡ機器等)が発生する場合は、これを採用するものとする。(２)本仕様に定める提出書類(納入印刷物)については、グリーン購入法の基本方針に定める「紙類」の基準を満たしたものであること。１３．契約不適合責任契約不適合責任については、契約条項のとおりとする。１４．特記事項(１)受注者は、量研が量子科学技術の研究・開発を行う機関であるため高い技術力及び高い信頼性を社会的に求められていることを認識し、量研那珂研究所の規程等を遵守し、安全性に配慮し業務を遂行し得る能力を有する者を従事させること。(２)受注者は、異常事態等が発生した場合、量研の指示に従い行動するものとする。(３)受注者は、量研が伝染性の疾病(新型コロナウイルス等)に対する対策を目的として行動計画等の対処方針を定めた場合は、これに協力するものとする。１５．協議本仕様書に記載されている事項及び本仕様書に記載のない事項について疑義が生じた場合は、量研と協議の上、その決定に従うものとする｡- 4 -第２章 技術仕様１．概要アノード電源高電圧スイッチは、スイッチングデバイスとして電界効果トランジスタ(以下「FET」という。)を90個直列接続した回路で、80kVオーダーの高電圧を1μsec以内でオン・オフすることが可能である。スイッチングデバイスをステンレス製のケースに収納した高電圧スイッチユニット及び電流検出ユニットを製作する。２．高電圧スイッチユニット２.１ 電源高電圧スイッチユニット概要高電圧スイッチユニットは、スイッチングデバイスとしてFETを90個直列に接続した回路で構成し、FETは15個分の直列回路を1枚のプリント基板上に配置すること。また、プリント基板6枚と付属するゲート信号駆動用の高周波絶縁トランスをステンレス製のケースに収納した構成とすること。なお、ステンレス製のケースの内部には高圧絶縁油を充填し、高電圧入出力は絶縁油をシールする構造のブッシングで取合う構造とすること。第1図に高電圧スイッチユニットの外観参考図を示す。２.２ 高電圧スイッチ仕様(１)定格使用電圧・DC-55kV(試験電圧：DC-60kV 10分間)(２)定格電流・15AP(パルス幅100μsec以内)・12A(パルス幅100μsec～連続)(３)スイッチング時間・ターンオン時間：1μsec以内(10%～90%の立ち上がり時間)・ターンオフ時間：1μsec以内(10%～90%の立ち下がり時間)・ターンオン遅れ時間：2μsec以内(４)定格スイッチング周波数・5kHz(５)スイッチデバイスの定格損失・500W以内(６)冷却方法・高圧絶縁油による循環冷却(７)最大使用温度・40℃(８)CE間電圧制限回路・TVSを用いたCE間電圧制限回路を設けること。- 5 -・CE間制限電圧：DC72kV(1mA)・循環冷却用ジョイントサイズ：管用ねじサイズ1インチ以内２.３ スイッチングデバイススイッチングデバイスとして使用するFETは支給する。・型式：IXYS 社製IXBH42N170A(20A/1700V定格)第2図及び第3図にIXBH42N170Aのテクニカルデータを示す。・数量：100個(予備を含む)２.４ スイッチングデバイスの電圧電流ディレーティング電圧ディレーティング率は、80kV/(1700V×90個)＝53%とする。電流ディレーティング率は、(80kV/6kΩ)/20A＝66%(6kΩはスイッチ電流制限抵抗)とする。

２.５ スイッチングデバイスの分圧抵抗Rd最大リーク電流を 200μA とする。分圧抵抗には最大リーク電流の 2～3 倍以上流すことし、Rd＝(80kV/90個)/(200μA×2～3)＝2.2MΩ～1.48MΩ≒2MΩとする。２.６ 過電圧保護高電圧スイッチユニットの EC 端子間には、TVS による過電圧保護回路を設けること。

第5図に電流計測回路ユニットの回路構成参考図、第6図に電流計測回路ユニットの外形参考図を示す。３.２ 電流計測回路ユニット仕様- 7 -(１)電流検出感度・±5V/±100A(２)定格計測電流・±10V/±200A(３)最大通電過電流・1500Ap 100ms(４)小信号帯域・500kHz -3dB(５)ステップ応答・10A/μsec(Through 出力において)(６)電流検出出力回路以下の3つの回路を設けること。・DCCT電流検出出力(直接出力)・OPアンプバッファー出力(Through 、ゲイン＝1)・LPF付きアンプ回路出力(LPFの遮断周波数を1kHz、10kHz、100kHz切替え可能とすること)(７)操作電源仕様・単相AC100V±10％ 約50VA・AC入力回路に受電灯、保安ヒューズ、ラインフィルタを設けること(８)使用条件・屋内設置・最大使用温度：40℃・連続運転・最大環境磁場：5ガウス３.３ 電流計測回路ユニット外観仕様(１)外形寸法・W400×D400×H500mm以内(２)ユニットケースの厚み及び材質・厚み：3.2㎜ 鉄板(３)表面処理・ユニクロームメッキ相当(４)ユニット外面の取付け器具などの仕様・床面4隅にエポキシ碍子(高さ約90㎜ ES6相当)を設けること。・上部に持運び用の取手を2個設けること。・両側側面にDCCTの貫通用ケーブルを出力すること。貫通ケーブルの仕様呼び径：22㎜2- 8 -長さ：ユニット側面より500㎜出力圧着端子：22-M8付き・正面に検出出力用の絶縁型BNC端子を4個設けること。・側面に AC 電源ケーブル(3P プラグ付き 長さ：約 3m)、ガラス管ヒューズホルダ、受電灯、AC入力用トグルスイッチを設けること。３.４ DCCTの仕様電流計測用検出器として以下のDCCTを設けること。・型式：Danisens社製 DS200UB-10V(相当品可)４．試験検査下記の試験検査を実施すること。４.１ 高電圧スイッチユニット４.１.１ 外観構造検査４.１.２ 絶縁抵抗試験以下の極間において、絶縁抵抗を測定すること。・ゲートアンプユニットのAC1次側回路対ゲートアンプユニットケース(GND)間・高電圧側スイッチ回路(CE間を短絡)対高電圧スイッチユニットケース(GND)間４.１.３ 耐電圧試験以下の極間において、耐電圧試験を実施すること。なお、耐電圧試験で必要な高圧絶縁油は受注者が準備すること。・ゲートアンプユニットのAC1次側回路対ゲートアンプユニットケース(GND)間試験耐電圧及び印加時間：AC1.5kV、1分間・高電圧側スイッチ回路(CE間を短絡)対高電圧スイッチユニットケース(GND)間試験耐電圧及び印加時間：DC-60kV、10分間本試験は、ゲートアンプユニットを運転して高電圧スイッチをOFF状態で実施する４.１.４ FETゲート信号の立上り、立下り時間のばらつき時間の測定高電圧スイッチの90個直列接続されたFETのゲート電圧波形について、基準とするFETの当該波形と比較した立上り、立下り時間のばらつきをデジタルオシロスコープで計測し、ばらつきが±30ns以内であること。４.１.５ FETスイッチ回路基板の分圧特性の測定試験高電圧スイッチのFETスイッチ回路基板6枚の分圧特性を測定すること。４.１.６ パルス通電試験(１)高電圧スイッチに、高電圧電源、キャパシタバンク、負荷抵抗を接続して以下の条件でパルス通電を行うこと。・通電幅：100μsec・繰り返し周波数：0.5～1Hz程度- 9 -・キャパシタ充電電圧：0～DC-55kV(２)パルス通電時において、以下の時間を測定し波形を記録すること。・高電圧スイッチのCE間波形全景・ターンオン時間・ターンオフ時間・遅れ時間(３)キャパシタ充電電圧 DC-55kV 条件において、15 分間の連続通電を行い、通電開始直後と通電終了直前の波形を記録すること。・高電圧スイッチのCE間波形全景・ターンオン時間・ターンオフ時間・遅れ時間４.２ 電流計測回路ユニット４.２.１ 外観構造検査４.２.２ 絶縁抵抗試験・AC1次側の絶縁抵抗測定４.２.３ 電流検出器出力の直線性測定・通過電流に対する計測信号の直線性を測定する以上- 10 -第1図 高電圧スイッチユニットの外観参考図- 11 -第2図 IXBH42N170Aのテクニカルデータ(1/2)- 12 -第3図 IXBH42N170Aのテクニカルデータ(2/2)- 13 -第4図 ゲートアンプユニット外観参考図- 14 -第5図 電流計測回路ユニットの回路構成参考図- 15 -第6図 電流計測回路ユニットの外観参考図